三星、SK海力士在华晶圆厂获无限期豁免：美国用心险恶

据韩国总统办公室通报，美国商务部已经同意向三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂提供“无限期豁免”，即美国供应商无需任何许可，就可向三星和SK还来在中国的晶圆厂供应半导体设备。

韩国总统经济首席秘书崔尚木（ Choi Sang-mok）表示：“韩国半导体企业在中国运营和投资的不确定性已大大缓解；他们将能够冷静地寻求长期的全球经营战略。”

崔尚木表示，美国已经将这一决定通知了三星和SK海力士，这表明该决定已经立即生效。

据悉，针对三星电子和SK海力士在华工厂的“无限期豁免”将通过更新 Validated End-User（VEU）清单来取得。只要被纳入这份清单，就无需另外取得单独许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被永久暂停。

对此，三星电子在一份声明中回应称：“通过与相关政府的密切协调，三星电子在中国的半导体生产线运营的不确定性已经大大消除。公司将继续密切与所有相关政府保持密切合作，为全球半导体产业维护稳定的供应链。”

SK海力士则在声明中表示：“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定。我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”

2022年10月7日，美国出台了新的对华半导体出口管制政策，限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取先进逻辑制程芯片、128层NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力，除非获得美国商务部的许可。

这其中就包括了三星、SK海力士等外资企业在中国大陆的晶圆厂。

虽然在数日之后的，三星电子、SK海力士、台积电均获得了美国商务部的1年豁免期的许可，他们可以在之后1年内无需办理任何额外的手续即可获得美国半导体设备的供应，这也使得他们位于中国大陆的工厂的生产都将暂时不会受到禁令的影响。但是，随着这1年豁免时间即将到期，是否还能顺利延长豁免许可，则成为了他们未来在华发展的首要的问题。

目前主流的NAND Flash芯片正在迈向了128层以上的更高的堆叠层数，主流的DRAM芯片也在进入10纳米级。而三星和SK海力士在中国都有着庞大的NAND FlashH和DRAM产能，如果无法获得美系先进的半导体设备，那么不仅现有的产线运营将受影响，未来也将无法继续进行技术升级和扩大产能，这势必将会影响到他们在华工厂的正常运营，以及未来的产能布局和市场竞争力。

随着此番三星和SK海力士在华工厂成功获得“无限期豁免”，这也意味着未来三星、SK海力士在华工厂将可以继续升级和扩产，原有的不确定性被大大消除。

有相关业内人士表示，此举势必会让三星和SK海力士加大产能，而为了重新抢夺市场，双方可能会进一步在中国市场开打价格战。

资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。截至目前，西安厂两期项目总投资已高达270亿美元。

数据显示，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。

2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

SK海力士目前在中国大陆无锡、大连（从英特尔手中收购而来）拥有晶圆厂。截止至2020年，SK海力士已累计在中国投资超过200亿美元，在无锡拥有4000多名员工，并于2019年完成第二工厂C2F的建设。

随着C2F项目的持续推进，无锡工厂将承担SK海力士DRAM芯片全球生产总量近一半的份额。此外，在2021年SK海力士还将其位于韩国青州的8英寸晶圆代工厂M8迁至了无锡，预计2022年全部投产后将月产11.5万片8吋晶圆，高于原来韩国M8工厂的10万片月产能。

研调机构TrendForce数据显示，截至今年6月底，三星与SK海力士一起占据了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市场。

另有数据显示，目前三星在中国的NAND Flash工厂，投片量占该公司 NAND Flash总产能的 42.3%，全球产能占比也高达 15.3%。

SK海力士也同样拥有约50%的DRAM产能和20%的NAND Flash产能在中国大陆。

同样，对于韩国来说，中国也是其最大的芯片出口国。数据显示，韩国芯片厂商将大约 60% 的芯片出口到了中国大陆，并且韩国芯片制造商在中国工厂的产能也远高于其他国家和地区的芯片制造商。

总体而言，包括三星和SK海力士等韩国芯片制造商对中国市场的依赖程度要远大于其他国家和地区。这也促使韩国政府一直在积极与美国政府进行斡旋，三星和SK海力士过去一年来也一直在积极的对美国政府进行游说，最终成功获得了“无限期豁免”。