8月份，SK海力士全球首家宣布了321层堆叠的NAND闪存，首次突破300层，但是要到2025年上半年才会量产。
一直处于存储一哥位置的三星坐不住了，因为原本规划2024年量产的第9代V-NAND闪存只有280层左右，2025-2026年的第10代则突破到430层以上。
被反超显然是三星不能忍的。
三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND进展顺利，将在明年初量产，基于双堆栈架构，达成业界最高堆叠层数。
他没有披露具体的层数，但此前就有说法称，会提高到300层以上，能不能超过SK海力士的321层不好说，但至少在近期是新高。
显然，三星给第9代闪存加码了。
