随着科技的不断发展，计算机的性能也日益提升。而在计算机硬件中，内存是至关重要的一部分。而现在市场上最为常见的内存类型之一就是ddr4内存。那么，ddr4内存的时序是如何分别对应的呢？下面就来为大家详细介绍。
1. CAS Latency（CL）
CAS Latency（CL）是ddr4内存时序中最为重要的一个参数。它代表了从内存接收到读取请求到真正开始进行读取操作所需的延迟时间。通常情况下，CL值越小，内存读取速度越快。一般来说，常见的ddr4内存CL值为15、16、17等。
2. RAS to CAS Delay（tRCD）和Row Precharge Time（tRP）
除了CAS Latency以外，还有两个与之相关的参数，即RAS to CAS Delay和Row Precharge Time。RAS to CAS Delay（tRCD）表示在进行读写操作时，从行选通到列选通所需的时间延迟；而Row Precharge Time（tRP）则表示在进行下一次读写操作前需要关闭当前行并开启下一行所需的时间延迟。这两个参数的数值越小，内存读写速度越快。
3. Command Rate（CR）
Command Rate（CR）是ddr4内存时序中的另一个重要参数。它表示内存芯片在接收到命令后开始响应所需的时间延迟。一般来说，较常见的CR值为1和2，其中CR1表示内存芯片。
