嘿，小伙伴们！今天我要给大家讲讲有关ddr4内存时序的事情，这可是个技术活哦！废话不多说，我们马上进入正题。
时序，听起来好像很高深，其实就是内存模块在进行读写操作时各个信号之间的时间关系。对于ddr4内存来说，它包括了四个主要的时序参数：CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）、预充电延迟（tRP）和行前到行前延迟（tRAS）。这些参数决定了内存模块的性能表现。
二、时序参数对性能有何影响？
首先，CAS延迟（CL）是指从内存接收到读取请求到数据出现在输出总线上的时间。CL越小，读取数据的速度就越快。而RAS到CAS延迟（tRCD）则是指在行地址被选中后，开始传输列地址之间的时间。tRCD越小，内存读写速度也越快。接下来是预充电延迟（tRP），它表示在一个行地址被关闭后再打开另一个行地址所需要的时间。tRP越小，内存切换行地址的速度就越快。最后是行前到行前延迟（tRAS），它是指在两次行地址被激活之间所需的时间。tRAS越小，内存访问速度也越快。
